薄膜集成电路的制造方法和元件基片
2019-11-22

薄膜集成电路的制造方法和元件基片

用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求预计会增加,且需要进一步降低成本。本发明的一个目的在于提供一种能以更低成本生产的IC芯片结构和过程。考虑到上述目的,本发明的一项特点在于提供在绝缘基片上形成分离层、并在分离层上形成具有半导体膜作为反应区的薄膜集成电路的步骤,其中不分离上述薄膜集成电路。与将芯片去除圆形硅晶片的情况相比,在使用绝缘基片的情况中对母基片的形状的限制较少。因此,可以实现IC芯片成本的降低。

当然,以上电路等可形成于个人计算机中以提供读取器/写入器功能。

本实施例中,开口形成于天线之间的每个边界处;然而,它们也可一定间隔在边界上形成。此外,本实施例中描述了开口为圆形的情况;但本发明不限于此。例如,开口可形成为具有缝隙的形状。如上所述,可适当设定凹槽105和幵口113的形状和位置。

此外,天线最好具备连接端子135。由于连接端子,天线可容易地与薄膜集成电路连接。可通过增加从喷嘴排放出的微滴或将喷嘴保持于一个位置来形成连接端子。注意,连接端子并非必需提供,且其形状和放置不限于本实施例。

IDF芯片可根据它要附着的物体的大小和形状对大小和形状做出一些改变。因此,IDF芯片的应用不限于本实施例中所述的那些应用,且其它各种应用是可能的。

在本实施例模式中,IDF芯片可完成而不转移到转移基片上。但是,IDF芯片可像实施例模式1中一样被转移到转移基片。因此,可增加IDF芯片的断裂强度。

随后,在形成抗蚀剂后,通过蚀刻形成接触孔。此后,形成用于连接TFT的布线130以及用于将TFT连接到外部天线的连接布线21。虽然将CHF3和He的混合气体用作蚀刻气体以形成接触孔,但本发明不限于此。布线130和连接布线21可以用相同的材料同时形成,或可以分开形成。在此实施例中,与TFT相连的布线130将具有Ti、TiN、A】-Si、Ti和TiN的五层结构,并通过溅射法形成,随后形成图案。

图19B中示出了这种状态中的IDF芯片104。IDF芯片具有多个薄膜晶体管230,且薄膜晶体管排列成使载流子流向281与箭头方向(弯曲方向)280垂直。换言之,每个薄膜晶体管的源极区230(s)、沟道形成区230(c)和漏极区230(d)被排列成与弯曲方向280垂直。结果,可防止由于薄膜晶体管的弯曲应力引起的损坏或分离。

(实施例模式3)

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本实施例模式中描述了选择性形成凹槽和部分保留在IDF芯片之间设置的绝缘膜、导电膜等的模式。

如图20A所示,分离层102和TFT层103顺序地形成于绝缘基片100上,且选择性地形成凹槽105以在IDF芯片104之间具有连接区106,像实施例模式2一样。

此时,用于控制检流计反射镜的振动的设备(控制设备)296振动该检流计反射镜,换言之,改变反射镜的角度。激光点282在一个方向上移动(例如,在图中的X轴方向上)。例如,当检流计反射镜振动半个周期时,激光点在半导体膜上在X轴方向上移动某一宽度(向外)。

图27示出了安装有薄膜集成电路的制品。

读取器/写入器可具有防冲突功能。

图2A是在绝缘基片100上形成12个IDF芯片的情况的俯视图,图2B是沿图2A的线a-b的横截面视图,且图2C是沿图2A的线c-d的横截面视图。