电气过应力记录和/或采集
2019-11-22

电气过应力记录和/或采集

本公开文本的方面涉及检测及记录与诸如静电释放(ESD)事件之类的电气过应力(EOS)事件关联的信息。例如,在一个实施例中,设备包括电气过应力保护装置、配置成检测EOS事件的发生的检测电路、以及配置成存储表示EOS事件的信息的存储器。

结合材料和/或材料的图案/布置描述的用于提升和/或最大化电场/产生的电荷的任意原理和优势还可被应用至监控系统可用性。例如,在材料和/或材料的图案/布置产生的电场中的变化正比于一种状态,例如系统操作的一种特定状态,表示该状态的信息可与系统远程地进行交流。这种信息可被用于监控系统。

图8是根据另一实施例的包括检测电路36d和ESD保护装置34的示意图。检测电路36d类似于检测电路36c,除了ESD保护装置34上的电压被用于触发比较器72以及检测ESD事件的水平。当ESD保护装置34被触发,其可进入快速恢复面试而且利用电阻保持在保持电压。保持电压可被用来检测ESD事件的发生和ESD事件的水平。ESD保护装置34可被表征,而且表征数据可被用来确定ESD事件的水平。

图35是根据实施例的可利用接近度感测信息配置存储与EOS事件关联的能量的存储元件的示例电子装置的示意框图。如所示,电子装置350包括输入触点10、EOS保护装置11、EOS转向装置142、存储元件144、负载148、输出触点149、接近度传感器342和存储元件配置电路354。在图35中,接近度传感器342可提供接近度信息给存储元件电路344。存储元件配置电路354可根据接近度信息来配置存储元件144。由此,存储元件144可在与电子装置邻近的对象导致的EOS事件之前被配置。根据接近度信息,存储元件144的(多个)特定电容器和/或(多个)其它存储结构可被接入以捕获与EOS事件关联的电荷。根据电容量接入(多个)特定电容器和/或(多个)其它存储结构以捕获与EOS事件关联的能量。在与EOS事件关联的电荷被捕获之后,(多个)特定电容器和/或(多个)其它存储结构可随后被断开。

图14至22的示例性能量采集电路可被实体化在各种集成电路系统中。将参考图25至30B讨论这种集成电路系统的示例。

电子装置140被配置成在输入触点10接收输入信号,输入触点10可以是图示的输入引脚。EOS保护装置11被配置成提供针对电气过应力事件的保护。所示的EOS保护装置11被配置成通过在输入触点10上的信号超过被保护装置的EOS容量时(例如,电压击穿)将与EOS事件关联的电流转移至地来保护与输入触点10电连接的电路。EOS保护装置11可针对电气过应力事件保护内部电路13和存储元件142。在图14中,EOS保护装置11被布置在输入触点10和接地之间。EOS保护装置11可布置在输入触点10和任意其它适当低电压基准之间。例如,EOS保护装置11可以是配置成提供ESD保护的ESD保护装置。

图11是根据实施例的包含了包括功能安全性电路的裸片的堆叠裸片的示图。

图28图示了根据实施例的具有电气过应力保护装置、存储元件和处理电路的裸片。

图27是根据实施例的单个芯片上的包括ESD保护和能量采集电路的垂直集成系统270的示意图。组合的ESD保护和存储芯片272包括能够从ESD事件采集能量的电路以及配置成存储与ESD事件关联的电荷的存储元件。组合的ESD保护和存储芯片272可与ASIC264堆叠。相对于角锥体结构堆叠的两个单独的裸片,单个裸片中的组合的ESD保护装置和存储元件可降低垂直集成系统的高度。相对于两个单独堆叠的裸片,单个裸片中的组合的ESD保护装置和存储元件可降低从浪涌电导点开始的路径和存储元件的长度和/或电阻。ASIC264可从组合的ESD保护和存储芯片272的存储元件接收电荷。使得能量采集电路处于与ASIC不同的芯片上可允许诸如该ESD保护装置之类的EOS保护装置按比例放大以存储来自诸如更大的ESD事件指令的更大的EOS事件的电荷。